jueves, 2 de febrero de 2017

Construyen transistor con nanotubos de carbono que supera a los transistores de silicio


Uno de los problemas en la fabricación de transistores es la reducción de su tamaño, y la tecnología basada en silicio ya está por llegar a sus dimensiones límite; por lo tanto, es deseable probar otras alternativas como los nanotubos de carbono.

Investigadores de la Universidad de Pekín fabricaron un transistor basado en nanotubos de carbono que supera a los transistores tradicionales fabricados con silicio. El transistor es de alto rendimiento y de efecto de campo (CNT FET), con una longitud de compuerta de 5 nanómetros, que supera en desempeño a los FET de silicio con óxido metálico (CMOS) a la misma escala. Estos transistores CNT FET utilizan contactos de grafeno y operan mas rápido  y con menos voltaje de alimentación que los transistores de silicio. Los CNT FET de 5 nanómetros se acercan al límite cuántico del FET mediante el uso de un solo electrón por cada operación. Además, la longitud de contacto de los dispositivos CNT se reduce a 25 nanómetros, comparado con 240 nanómetros de un transitor CMOS FET.

El reto está en construir estos CNT FET a gran escala.


El trabajo se publicó recientemente en la revista Science.

No hay comentarios.: