Se logró disminuir la longitud de la compuerta de un
transistor usando el disulfuro de molibdeno como canal semiconductor y un
nanotubo de carbono como electrodo de compuerta. Comparado con el silicio, el MoS2 tiene una
permeabilidad dieléctrica más baja, y esto permite controlar la resistencia del
canal con una compuerta más pequeña.
Esta investigación muestra que la
ley de Moore sigue siendo válida si se utilizan los materiales y la
arquitectura apropiados.
Los resultados fueron publicados en Science.
Mas información en http://newscenter.lbl.gov/2016/10/06/smallest-transistor-1-nm-gate/
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