En la microelectrónica moderna, la carga de los electrones se utiliza para transportar información en componentes electrónicos, teléfonos móviles y medios de almacenamiento. El transporte de carga requiere una cantidad relativamente grande de energía y genera calor. La espintrónica, que utiliza el espín del electrón en el procesamiento de la información, podría ofrecer una alternativa de ahorro de energía. El espín es el momento angular intrínseco de los electrones que crea el momento magnético de espín o simplemente espín.
La estructura de construcción básica en los dispositivos espintrónicos son las bicapas ferromagnético(FM)/metal pesado donde la magnetización del ferromagnético puede ser conmutada mediante el control de las corrientes de espín generadas en el metal pesado (HM, del inglés heavy metal).
Sin embargo, el elemento clave en el transporte del espín de tales dispositivos lo constituye la interfase FM/HM. Investigadores de varias universidades alemanas demostraron que una capa intermedia aislante de MgO con espesor de unos pocos átomos y situada en la interfase de CoFeB como FM y de Ta como HM, mejora la eficiencia del transporte de las corrientes de espín entre las capas.
Los resultados son relevantes para diversas aplicaciones espintrónicas como la emisión de señales en los terahercios (THz). La radiación en los terahercios no solo se aplica en la investigación, sino también en la electrónica de muy alta frecuencia, la medicina, las pruebas de materiales y la tecnología de la comunicación.
Los resultados fueron publicados en Nano Letters de la American Chemical Society (ACS)
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