Los puntos cuánticos
(QDs del inglés quantum dots)
semiconductores auto-ensamblados tienen una gran variedad de aplicaciones en celdas
solares, láseres, LEDs y generadores termoeléctricos. Sin embargo, el
entendimiento y la manipulación de las propiedades electrónicas de los QDs sigue
siendo un reto. Investigadores de la Universidad de Michigan encabezados por
Rachel Goldman estudiaron el comportamiento de la concentración
de portadores en QDs de InAs (3D) crecidos epitaxialmente sobre una capa de GaAs
(2D). Empleando una técnica modificada del STM, la microscopía termoelectrónica
de barrido, determinaron el perfil del borde de la banda de conducción mediante
medidas de voltaje inducido por gradiente térmico y, en combinación con
simulaciones teóricas, encontraron que la concentración de portadores es menor
en el centro del QD que en la matriz. Tal fenómeno sugiere que los electrones están
atrapados en el QD o bien que los dopantes se incorporan preferentemente a la
capa 2D.
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