Uno
de los problemas en la fabricación de transistores es la reducción de su
tamaño, y la tecnología basada en silicio ya está por llegar a sus dimensiones
límite; por lo tanto, es deseable probar otras alternativas como los nanotubos
de carbono.
Investigadores
de la Universidad de Pekín fabricaron un transistor basado en nanotubos de
carbono que supera a los transistores tradicionales fabricados con silicio. El
transistor es de alto rendimiento y de efecto de campo (CNT FET), con una
longitud de compuerta de 5 nanómetros, que supera en desempeño a los FET de
silicio con óxido metálico (CMOS) a la misma escala. Estos transistores CNT FET
utilizan contactos de grafeno y operan mas rápido y con menos voltaje de alimentación que los transistores de
silicio. Los CNT FET de 5 nanómetros se acercan al límite cuántico del FET
mediante el uso de un solo electrón por cada operación. Además, la longitud de
contacto de los dispositivos CNT se reduce a 25 nanómetros, comparado con 240
nanómetros de un transitor CMOS FET.
El
reto está en construir estos CNT FET a gran escala.
El
trabajo se publicó recientemente en la revista Science.
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