El
desarrollo de la electrónica flexible y de otras tecnologías de punta requiere
del uso de películas ultra-delgadas bidimensionales (2D) de óxidos metálicos,
las cuales combinan las propiedades electrónicas del bulto con la gran
actividad superficial de los nanomateriales. Sin embargo, la síntesis de óxidos
metálicos 2D es costosa y difícil empleando los métodos tradicionales.
Utilizando
diferentes aleaciones líquidas de galio como solventes, investigadores del
Royal Melbourne Institute of Technology, lograron producir películas sub-nanométricas
(de 0.5 a 1 nm) de HfO2, Al2O3, y Gd2O3
a temperatura ambiente. Las hojas 2D aparecen sobre el metal líquido en una
capa superficial después de haber diluido el Hf, Al y Gd en la aleación de
bulto. Las películas ultra-delgadas de HfO2 muestran valores
superiores hasta en tres órdenes de magnitud del campo de ruptura dieléctrica y
exhiben valores similares de la constante dieléctrica y de la banda prohibida
reportados para el bulto.
Esta
técnica promete ser escalable, reducir los costos y lograr nuevos óxidos 2D no
producidos anteriormente.
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