Actualmente, entre los materiales bidimensionales de interés destacan los que presentan propiedades anisotrópicas en el plano. Muchas de las propiedades anisotrópicas provienen del índice de refracción y de las constantes de elasticidad del material. Entre estos materiales están los calcogenuros de metales de transición y compuestos bimetálicos, como el fósforo negro, que consisten de elementos del grupo V.
Un material de especial interés es el trióxido de molibdeno MoO3. Se trata de un semiconductor con banda prohibida ancha (2.7 eV) que le permite ser casi transparente al espectro visible al mismo tiempo que mantiene su conductividad eléctrica. Sin embargo, las propiedades anisotrópicas del MoO3 no se habían analizado exhaustivamente.
En este trabajo, investigadores españoles presentan resultados experimentales y cálculos empleando la teoría del funcional de la densidad electrónica para determinar la dependencia direccional del índice de refracción (birrefringencia) y el módulo de Young de hojas de MoO3 obtenidas por exfoliación, que son determinantes en las anisotropías observadas por espectroscopía Raman, experimentos de interacción fonón-polaritón, microscopía electrónica de transmisión y barrido con aberración corregida y espectroscopía de rayos X dispersados.
El MoO3 tiene aplicaciones optoelectrónicas y en electrónica flexible y ha sido probado como sensor de gases, memoria resistiva y en electrocromismo. Finalmente, las diferencias entre los parámetros de la red en el plano (a-c) hacen del α- MoO3 una plataforma perfecta para estudiar la anisotropía en el plano de sus propiedades ópticas, mecánicas y eléctricas.
Los resultados se publicaron en npj 2D Materials and Applications
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