Las capas de grafeno intercaladas con
grafeno blanco (nitruro de boro hexagonal, hBN) permiten el diseño de
materiales útiles en dispositivos electrónicos de alta frecuencia. El
comportamiento electrónico de estas heteroestructuras varía tan solo cambiando
la orientación de apilamiento de las capas cristalinas de grafeno y grafeno
blanco.
Esto fue demostrado por un grupo de
investigadores encabezados por el ganador del premio Nobel Prof. Sir Kostya
Novoselov de la Universidad de Manchester, Reino Unido.
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