Para
la producción de diodos emisores de luz (LEDs), láseres para comunicaciones ópticas
y circuitos electrónicos de alta velocidad en comunicaciones inalámbricas, resulta esencial el
crecimiento epitaxial de películas delgadas de arsenuro de galio (GaAs) y otros compuestos similares. Por medio del crecimiento epitaxial, un
material crece sobre otro copiando su estructura cristalina. La producción de
películas delgadas de GaAs, sin embargo, es complicada por la necesidad de
sustratos libres de contaminación y ultra alto vacío.
Un
grupo de investigadores de la Universidad de Illinois, EUA, demostró, mediante
un cálculo de primeros principios,
que una capa de grafeno sobre un sustrato de GaAs no impediría el
crecimiento epitaxial de GaAs si
sobre esta capa arriban átomos de Ga y As, siempre y cuando ésta no sea mayor de 9 Å. Además, demostraron que dichas películas se
pueden crecer aplicando el método de crecimiento epitaxial a partir de
compuestos organometálicos en fase vapor usualmente utilizado en la industria.
A este proceso lo denominaron
epitaxia remota. Este proceso es particularmente atractivo en el
contexto de la electrónica y la fotónica basados en materiales distintos al
silicio, porque los sustratos cubiertos de grafeno pueden ser reutilizados y
esto implica ahorros significativos.
Los resultados
fueron publicados recientemente en Nature
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