La manipulación de la magnetización en la escala nanométrica por medio de campos eléctricos puede aplicarse para el almacenamiento de información en la naciente espintrónica de baja potencia.
Por otra parte, lejos de ser perjudicial, la variación controlada de la estequiometria local de los materiales, de los perfiles de defectos y estructuras cristalinas, ofrece una plataforma versátil y conveniente para sintonizar sus propiedades físico químicas.
Investigadores de instituciones de China reportan un estudio teórico-experimental enfocado a la tecnología, sobre el control de la conmutación de la magnetización en la nanoescala mediante la migración de iones inducida por campo eléctrico. Demuestran que la migración de iones, tanto los participantes del ordenamiento magnético como los que provienen de fuentes externas, pueden modular la magnetización de un modo efectivo en películas delgadas ferromagnéticas. Este efecto resulta de fácil integración en la fabricación de dispositivos espintrónicos de baja potencia.
Los resultados fueron publicados recientemente en MRS Communications de la Materials Research Society
No hay comentarios.:
Publicar un comentario