La fabricación de dispositivos electrónicos y ópticos demanda películas delgadas epitaxiales por su menor cantidad de defectos puntuales y fronteras de grano donde se generan trampas para los portadores y causan su recombinación. El crecimiento epitaxial se logra con técnicas especializadas como el depósito químico de vapores o epitaxia de haces moleculares las cuales son muy caras y requieren de altas temperaturas y ultra-alto vacio.
Un grupo de investigadores de la Universidad de Missouri de Ciencia y Tecnología de Estados Unidos, han desarrollado una metodología para crecer películas delgadas epitaxiales de alta calidad empleando la técnica de recubrimiento por centrifugado (del inglés spin coating) la cual probaron con diferentes compuestos como el bromuro de plomo cesio (CsPbBr3), el ioduro de plomo (PbI2), cloruro de sodio (NaCl) y el oxido de zinc (ZnO). Las películas se depositaron a partir de soluciones del compuesto o de sus precursores los cuales se convierten fácilmente en el producto final con solo productos secundarios volátiles.
Sus resultados demuestran que el recubrimiento por centrifugado ofrece una alternativa para crecer semiconductores altamente ordenados útiles para la electrónica flexible, pantallas y células solares.
El trabajo fue publicado en Science.
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