Para la electrónica, los
nanotubos de carbono requieren estar libres de impurezas para aumentar su
utilidad en dispositivos nanométricos, el uso de dichos dispositivos como
semiconductores dependerá de la posición de los contactos, según científicos
del Instituto de Investigación en Seguridad Energética (Energy Security Research Institute) de la Universidad de Swansea en
colaboración con investigadores de la Universidad de Rice.
Este grupo demostró que al
bombardear nanotubos de carbono de pared múltiple a 500 ºC con iones de argón,
se redujeron las impurezas en la superficie de los nanotubos, de tal manera que
las curvas I-V de los nanotubos de pared múltiple fueron reproducibles. Además,
demostraron que su resistividad fue dependiente de la longitud entre contactos.
La noticia fue recientemente
publicada en Nano Letters
Más información puede ser
encontrada en Phys.org
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