miércoles, 24 de enero de 2018

Ingeniería de dominios por deformación en películas ferroeléctricas epitaxiales empleando la erosión iónica.


La integración de los materiales multiferroicos en la generación de dispositivos electrónicos nanoestructurados de nueva generación requiere de un control preciso y ordenado del crecimiento, atendiendo a la naturaleza de tales materiales de desarrollar estructuras de dominios. Uno de los métodos para lograrlo se conoce como ingeniería de la deformación empleando sustratos monocristalinos y técnicas de depósito sofisticadas y costosas como la epitaxia de haces moleculares (MBE del inglés). 

Recientemente, un grupo de investigadores del CNyN ha logrado películas delgadas ferroeléctricas del compuesto libre de plomo KNN, epitaxiales de 60 nm y altamente orientadas sobre monocristales de SrTiO3, empleando la técnica de erosión iónica (sputtering del inglés) combinada con apropiados tratamientos térmicos. Sus resultados muestran un alto ordenamiento de los dominios ferroeléctricos, constreñidos por los parámetros estructurales de la superficie del sustrato, augurando un gran potencial del uso de la técnica de sputtering (establecida formalmente en la industria) en la ingeniería de dominios.

Los resultados fueron publicados recientemente en Scientific Reports

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