La física que describe los estados electrónicos en dispositivos de efecto de campo se entendería mejor con imágenes de los cambios de potencial, nivel de Fermi y estructura de bandas, como función del voltaje de compuerta. Un grupo internacional de investigadores realizó estudios de espectroscopía de fotoemisión con resolución angular a la escala micrométrica (microARPES, por sus siglas en inglés) en dispositivos de grafeno de dos terminales, y observaron un corrimiento en el nivel de Fermi sin detectar un cambio en la dispersión al aplicar el voltaje de compuerta. En los dispositivos semiconductores bidimensionales se observa la aparición del borde de la banda de conducción, al tiempo que los electrones se acumulan y definen su energía y el momentum en dicho borde. Los investigadores demostraron que la espectroscopía óptica y microARPES se pueden practicar en un solo dispositivo, por lo que se determina con certeza la relación entre las propiedades ópticas y las electrónicas controladas por el voltaje de compuerta.
Esto constituye un nuevo enfoque experimental para estudiar aspectos fundamentales de la física de semiconductores y algunos fenómenos novedosos como las transiciones topológicas y reconstrucciones espectrales, bajo control del potencial eléctrico, relacionadas con las llamadas interacciones de muchos cuerpos.
Los resultados fueron publicados recientemente en Nature
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