La generación de corriente de espín sin electrodos ferromagnéticos, provee nuevas rutas para la generación de dispositivos espintrónicos controlados por medios totalmente eléctricos en materiales bidimensionales.
En este trabajo, un grupo de investigadores holandeses demostraron experimentalmente la conversión de carga a espín en una heteroestructura de monocapas de WS2-grafeno con enlace Van der Waals. Se midió la polarización del espín inducida por la corriente, hasta la temperatura ambiente, controlada por el campo eléctrico de la compuerta. Mediante medidas del Efecto Hall de Espín (SHE, por sus siglas en inglés) se comprobó la presencia del efecto Rashba–Edelstein (REE, por sus siglas en inglés) y del efecto inverso IREE, los cuales explican el proceso de conversión de carga a espín.
Estos resultados tendrán implicaciones significativas en aplicaciones de la espintrónica empleando materiales bidimensionales.
Los resultados fueron publicados recientemente en ACS Nano Letters.
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