Como alternativa a la espintrónica dependiente de materiales ferromagnéticos, el presente trabajo se orienta hacia la orbitrónica de espínes que aprovecha la interconversión espín-carga que ocurre de manera muy eficiente en materiales no-magnéticos, debido al acoplamiento espín-órbita. Investigadores de Europa, demostraron la alta conversión espín-carga que ocurre en una interface, al diseñar un gas de electrones bidimensional de SrTiO3(STO) con alta densidad de portadores de carga y correlacionar el cambio de voltaje de compuerta con su estructura de bandas. El gas de electrones en 2D se preparó depositando Al (1 nm) sobre el óxido de titanio (TiO2) de la superficie del STO. Después se depositó una película delgada de NiFe. La composición química de las películas se determinó in situpor XPS.
Estos resultados indican que los gases de electrones bidimensionales generados con óxidos deben considerarse como candidatos muy fuertes para el transporte de espines en nuevos dispositivos como memorias y transistores.
Los resultados fueron publicados recientemente en Nature Materials.
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