El ordenamiento de la polarización ferroeléctrica en dominios y la rapidez de su conmutación en respuesta a un campo eléctrico son esenciales para la operación de memorias no volátiles, transductores, dispositivos electro-ópticos, entre otros. Sin embargo, para la fabricación de dispositivos de telecomunicaciones que requieren del control por voltaje de la capacitancia y su operación a muy altas frecuencias, las paredes de dominio se convierten en un obstáculo. De modo natural, el movimiento de estas paredes de dominio promueve altas pérdidas dieléctricas e histéresis en sus respuestas.
Un amplio grupo de investigadores de diferentes instituciones, ha establecido teórica y experimentalmente que, con diseños e ingeniería de dominios ferroeléctricos, se pueden obtener películas delgadas con estructuras de paredes de dominio específicas. Demostraron que dichas paredes pueden oscilar de modo dinámico bajo campos eléctricos muy débiles y ser sintonizadas en el intervalo de frecuencias de las microondas de 1 a 8 Gigahertz. Sus resultados demuestran que las pérdidas dieléctricas disminuyen de 1 a 2 órdenes de magnitud con respecto a las paredes de dominio del bulto.
Los resultados fueron publicados recientemente en Nature.
Mas información en MRS Bulletin.
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